Ausrüstung zum Plasmaätzen von Dünnschichten

Ausrüstung zum Plasmaätzen von Dünnschichten

Informationen
Die Plasmaätz-Dünnschichtausrüstung ist eine hochmoderne Lösung, die zum präzisen Ablösen von Dünnschichtbeschichtungen entwickelt wurde und eine außergewöhnliche Leistung bei der Oberflächenmodifizierung und Rückstandsentfernung bietet. Dieses Gerät nutzt die Technologie des reaktiven Ionenätzens (RIE) und kombiniert chemische Reaktionen und physikalischen Ionenbeschuss, um eine gleichmäßige und kontrollierte Filmentfernung zu erreichen.
Produktklassifizierung
Ionenätzausrüstung
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Beschreibung
Technische Parameter

Ausrüstung zum Plasmaätzen von Dünnschichtenist eine hochmoderne Lösung, die zum präzisen Ablösen dünner-Filmbeschichtungen entwickelt wurde und eine außergewöhnliche Leistung bei der Oberflächenmodifizierung und Rückstandsentfernung bietet. Dieses Gerät nutzt die Technologie des reaktiven Ionenätzens (RIE) und kombiniert chemische Reaktionen und physikalischen Ionenbeschuss, um eine gleichmäßige und kontrollierte Filmentfernung zu erreichen.

 

Hauptvorteile:

 

  • Verarbeitung bei niedrigen-Temperaturen: Die Plasmaätz-Dünnschichtausrüstung arbeitet bei extrem niedrigen Temperaturen, wodurch die thermische Belastung minimiert und eine Verformung des Substrats verhindert wird. Diese Funktion ist für empfindliche Materialien wie Polymere und Präzisionsoptiken von entscheidender Bedeutung.
  • Einstellbare Ätzrate: Der Abstand zwischen Ionenquelle und Substrat kann über eine höhenverstellbare rotierende Plattform dynamisch angepasst werden, was eine präzise Steuerung der Ätzgeschwindigkeit (bis zu 30 nm/min) ermöglicht, um unterschiedlichen Prozessanforderungen gerecht zu werden.
  • Hohe Einheitlichkeit: Ausgestattet mit patentierten Ionenstrahlquellen und fortschrittlicher Entladungstechnologie erzeugt das Gerät hochdichtes Plasma und gewährleistet so ein gleichmäßiges Ätzen und konsistente Ergebnisse auf Substraten mit einem Durchmesser von bis zu 800 mm.
  • Duale-Funktionalität: Über die Filmentfernung hinaus kann dieses System für multifunktionale Anwendungen angepasst werden, einschließlich der Oberflächenreinigung und der Vorbehandlung für nachfolgende Beschichtungsprozesse.

 

Mechanismus und Prozess:

 

DerPlasma-Reinigungsmaschinefunktioniert durch ein ausgeklügeltes Zusammenspiel von physikalischem Bombardement und chemischen Reaktionen, die durch ionisiertes Gas (Plasma) angetrieben werden. Im Kern erzeugt das System Plasma durch Anlegen von Hochfrequenzenergie (RF) an eine Gasumgebung mit niedrigem -Druck (z. B. Sauerstoff, Argon oder Stickstoff). Diese Energie dissoziiert Gasmoleküle in reaktive Spezies, einschließlich Ionen, Elektronen und freie Radikale, und bildet eine hochenergetische Plasmawolke.

 

1,Plasmaerzeugung:
Wenn HF-Leistung (typischerweise 13,56 MHz oder 40 kHz) an die Elektroden in der Vakuumkammer angelegt wird, werden Gasmoleküle ionisiert. Dadurch entsteht eine Glimmentladung, die einen stabilen Plasmazustand erzeugt. Die Auswahl der Prozessgase bestimmt den vorherrschenden Reaktionsmechanismus: Sauerstoffplasma eignet sich hervorragend für die Oxidation organischer Verunreinigungen, während Argonplasma das physikalische Sputtern anorganischer Rückstände verbessert.

 

2, Reinigungsmechanismus:

  • Physische Bombardierung:Hochenergetische Ionen im Plasma kollidieren mit Oberflächenverunreinigungen, brechen molekulare Bindungen und lösen Partikel durch kinetische Energieübertragung. Dieser Prozess entfernt effektiv Feinstaub und schwach haftende Schichten.
  • Chemische Reaktion:Reaktive Radikale (z. B. O⁎, OH⁎) interagieren mit organischen Schadstoffen und zersetzen diese in flüchtige Nebenprodukte (CO₂, H₂O), die über das Vakuumsystem evakuiert werden.
  • Oberflächenaktivierung:Gleichzeitig verändert die Plasmaexposition die Oberflächenchemie durch die Schaffung polarer funktioneller Gruppen (-OH, -COOH), wodurch die Benetzbarkeit und Haftung für nachfolgende Prozesse verbessert wird.

 

Vergleich vor- und nach-Ätzung

  • Vor-Ätzung: Restliche kohlenstoffbasierte Filme (z. B. DLC/ta{3}}C-Beschichtungen) oder Verunreinigungen können die Oberflächenhaftung und die optische Leistung beeinträchtigen.
  • Beitrag-Radierung: Es entsteht eine makellose, kontaminationsfreie Oberfläche, die die Haftung für nachfolgende Beschichtungen verbessert und die Produktzuverlässigkeit in Branchen wie Unterhaltungselektronik, Optik und erneuerbare Energien verbessert.

 

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Technische Spezifikationen:

 

  • Ätzgas: Ar, O₂
  • Stromversorgung: 380V/50Hz, 10 kW
  • Vakuumsystem: Molekularpumpe mit einem Basisdruck kleiner oder gleich 5,0×10⁻⁴ Pa
  • Anpassung: Kammergröße und Außenabmessungen können an die Bedürfnisse des Kunden angepasst werden.

 

Anwendungen:

 

  • Entfernung dünner -Filme für optische Linsen, Anzeigetafeln und Präzisionswerkzeuge.
  • Oberflächenvorbehandlung-in der 3C-Elektronik, medizinischen Geräten und der neuen Energiebranche.

 

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