Das IBAE-System kombiniert Elektronenstrahl- oder thermische Verdampfung mit einer integrierten Breitstrahl-Ionenquelle. Durch den gleichzeitigen Ionenbeschuss während des Filmwachstums wird kinetische Energie auf kondensierende Adatome übertragen, wodurch säulenförmige Mikrostrukturen beseitigt werden und dünne Filme mit nahezu -Massendichte-Dichte und minimaler feuchtigkeitsbedingter Spektralverschiebung erzeugt werden.
Technische Spezifikationen
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Parameter |
Spezifikation |
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Basisdruck |
<= 5.0 x 10^(-5) Pa (achieved within 35 minutes) |
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Arbeitsdruck |
1,0 x 10^(-1) bis 1,0 x 10^(-2) Pa |
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Ionenquellentyp |
Gridless End-Hall/Kaufmann-Ionenquelle |
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Ionenstrahlenergie |
50 eV bis 1500 eV (geschlossener-regelkreisstabilisiert) |
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Ionenstrahlstromdichte |
0 bis 2,5 mA/cm^2 |
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Verdunstungsquellen |
E-Beam-Kanone mit mehreren Taschen (4 x 15 cm³ bis 6 x 40 cm³) / Widerstandsboote |
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Substrathalter |
Planetendrehvorrichtung mit Heizung bis 300 °C |
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Gleichmäßige Dicke |
<= plus/minus 0.5 percent over 400 mm diameter |
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Kontrollsystem |
Siemens S7-1500 SPS + Industrie-PC (Inficon-Abscheidungssteuerung) |
Hauptmerkmale
Dual-Modus-Bombardierung:Die kinetische Energieübertragung verdichtet Filme bei niedrigen Substrattemperaturen und schützt so empfindliche Optiken und Polymersubstrate.
Geschlossene -Ionenstabilisierung:Integrierte Massenflussregler sorgen über lange Produktionsläufe hinweg für einen konstanten Ionenfluss und gewährleisten so die Konsistenz der Chargen.
Modulare Vakuumkammer:Struktur aus 304L-Edelstahl mit elektropolierter Innenseite (Ra<= 0.2 um) and Conflat metal seals.
Automatisierte Sequenzierung:SPS--verwaltete Abpump--Zyklen minimieren Betriebsschwankungen.
Konfiguration des Vakuumsystems
Vorvakuumpumpen:Öl-freie Trockenwurzel- und Drehschieberpumpen.
Hochvakuumpumpe:Magnetisch schwebende Turbomolekularpumpe (1600 L/s).
Messgeräte:Kombination aus Pirani-, Kaltkathoden- und Baratron-Kapazitätsmanometern.
Ventil:Pneumatische Schieber- und Eckventile mit Hardware-Sicherheitsverriegelungen.
Verdampfungsmaterialien und Substratkompatibilität
Oxide:SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5, Al2O3
Fluoride:MgF2, LaF3
Metalle:Au, Ag, Al, Ti, Cr
Untergründe:Quarzglas, BK7, Siliziumwafer, Germanium, Zinkselenid (ZnSe) und hitzebeständiges Polyimid.
Anwendungen
Präzisionsoptik:Schmalbandpassfilter und DWDM-Beschichtungen erfordern stabile Mittenwellenlängen.
Laseroptik:Reflektoren mit hoher-Beschädigung-und Antireflexionsbeschichtungen.
Halbleiter & Photonik:Dielektrische Schutzschichten, Passivierung und optische Wellenleiter.
Sonnenenergie:Schnittstellenmodifikation durch transparentes leitfähiges Oxid (TCO).
Anpassung
Kammergröße:Skalierbare Durchmesser von 600 mm bis 1200 mm.
Quelllayout:Bis zu drei E--Strahlkanonen und mehrere Wärmequellen pro Plattform.
In-In-situ-Messtechnik:Integration von optischer Breitbandüberwachung (BOM) oder Quarzkristall-Mikrowaage (QCM).
Automatisierung:Roboter-Substratladeschnittstellen, die den SEMI-Standards entsprechen.
Qualitätskontrolle
Leckerkennung:Helium-Massenspektrometer-Test pro Kammer (Empfindlichkeit).<= 1 x 10^(-10) Pa*m^3/s).
Komponentenbeschaffung:Tier-1-Industriemarken (Inficon, MKS, Edwards, Siemens).
Werksabnahme (FAT):72-stündiger kontinuierlicher Trockenlauf und Überprüfung der Beschichtung zur Messung des Brechungsindex und der Gleichmäßigkeit vor dem Versand.
Installation und technischer Support
Dokumentation:Komplettes englisches Paket einschließlich elektrischer Schaltpläne, P&ID-Diagramme und SPS-Quellcodes.
Außendienst:Schlüsselfertige Installation, Vakuumkalibrierung und Rezeptabstimmung durch Anwendungstechniker.
Ferndiagnose:Sicheres VPN-Modul zur Fehlerbehebung bei Software und Prozessen.
FAQ
F: Wie verändert die Ionenunterstützung den Brechungsindex von Oxiden?
A: Energetischer Ionenbeschuss vertreibt eingeschlossene Restgase und verdichtet die Mikrostruktur, wodurch sich der Brechungsindex von Filmen wie Ta2O5 und TiO2 näher an die Massenwerte verschiebt.
F: Was ist das typische Wartungsintervall für die Ionenquelle?
A: Die Wartungsintervalle liegen je nach Prozessgasen und Betriebsleistungsdichte zwischen 150 und 300 Verarbeitungsstunden.
F: Kann dieses System reaktive Gasprozesse verwalten?
A: Ja. Unabhängige Massendurchflussregler injizieren reaktive Gase (O2, N2) direkt in die Ionenquellen- und Kammerzonen, verriegelt mit Sicherheitsdruckschaltern.
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