PVD-Multi-Prozess-Dünnschichtausrüstung

Die PVD-Multi-Prozess-Dünnschichtausrüstung ist eine integrierte Vakuumabscheidungsplattform, die entwickelt wurde, um mehrere Dünnschichtherstellungstechniken-einschließlich HF/DC-Magnetronsputtern, thermische Verdampfung und Elektronenstrahlverdampfung-in einer einheitlichen Vakuumarchitektur zu kombinieren.

Dieses System eliminiert die Kontamination durch Vakuumunterbrechungen zwischen verschiedenen Prozessschichten und ermöglicht die Abscheidung komplexer mehrschichtiger metallischer, dielektrischer und Halbleiterfilme ohne Umgebungsexposition. Es ist für F&E-Cluster im Labor oder für die Pilotproduktion-konfiguriert und bietet Platz für Substrate mit einem Durchmesser von bis zu 300 mm oder kundenspezifische Träger.

Modulare Vakuumarchitektur:Unabhängige Prozesskammern, die über Absperrschieber gekoppelt sind, verhindern eine Kreuzkontamination zwischen reaktivem Sputtern und Hochvakuumverdampfung.

Im-Vakuum-Substrattransfer:Magnetische oder lineare Transferarme halten ein hohes Vakuum aufrecht (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.

Schnell-Quellenflansche ändern:Sputterkathoden und Elektronenstrahltiegel sind zur schnellen Wartung und zum Austausch des Targets auf Standard-CF-Flanschen montiert.

Fortschrittliches kryogenes Einfangen:Integrierte Flüssigstickstoff-Kühlfallen und Meissner-Fallen minimieren den Restwasserdampfdruck in der Kammer.

Geschlossene-Überwachung der Schleifendicke:Duale Quarzkristall-Mikrowaagen (QCM)-Sensoren liefern Echtzeit-Feedback zu Abscheidungsrate und -dicke, das direkt mit der Stromversorgungsregelung verknüpft ist.

Schruppphase:Ölfreie Scrollpumpen in Kombination mit mehrstufigen Roots-Gebläsen verhindern den Rückfluss von Kohlenwasserstoffen.

Hochvakuumstufe:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 L/s für N2) und optionale Kryopumpen für hohen Wasserdampfdurchsatz.

Druckregulierung:Baratron-Kapazitätsmanometer zur absoluten Druckmessung unabhängig von der Gasart, gepaart mit automatisierten Drosselventilen für eine präzise Prozessgasdruckregelung (0,1 Pa bis 10 Pa).

Leckerkennung:Heliumleck-vor der Werksabnahmeprüfung (FAT) auf < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s getestet.

Leitfähige Ziele:Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.

Dielektrische Materialien:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (über reaktives Sputtern oder Elektronenstrahl).

Substrattypen:
Halbleiterwafer (Silizium, Galliumarsenid, Indiumphosphid).

Optische Rohlinge (Fused Silica, BK7, Saphir).

Flexible Bahnen und dünne Metallbleche (Polyimid, Edelstahlfolie).

Optoelektronik:Abscheidung transparenter leitfähiger Oxidschichten (TCO) und antireflektierender optischer Filterstapel (AR).

Herstellung von Halbleiterbauelementen:Bildung von ohmschen Kontakten, Schottky-Barrieren, Keimschichten für die Galvanisierung und Diffusionsbarrieren (Ti/TiN).

Sensorherstellung:Dünnschicht-Dehnungsmessstreifen aus Metall, Mikro-Heizelemente und piezoelektrische Wandler.

Erweiterte Forschung und Entwicklung:Explorative mehrschichtige Dünnfilmsynthese für Quantencomputerkomponenten und neuartige Energiespeichermaterialien.

Kammergeometrie:Erweiterbare Kammerabmessungen für nicht-Standard- oder übergroße Chargensubstrate.

Quellenintegration:Kundenspezifische Zuordnungsverhältnisse zwischen Magnetron-Sputterpistolen und Elektronenstrahl-Verdampfungstaschen.

Bias-Sputtern:RF/DC-Vorspannungsoptionen für Substrate zur Filmverdichtung und Spannungskontrolle.

Laden-Integration sperren:Hinzufügung automatisierter Ladeschleusenkammern, um die Integrität des Hochvakuums bei Ladezyklen mit hohem{1}}Durchsatz aufrechtzuerhalten.

Materialrückverfolgbarkeit:Für alle vakuumseitigen Edelstahlkomponenten und Strukturrahmen werden Mühlentestzertifikate (MTCs) bereitgestellt.

Reinraummontage:Abschließende Integration und Überprüfung der Partikelanzahl-durchgeführt in einer Reinraumumgebung der ISO-Klasse 6.

Werksabnahmeprüfung (FAT):72-stündiger kontinuierlicher Vakuum-Ausheiztest, Dichtheitsprüfung mittels Restgasanalysator (RGA)-Massenspektrometrie und Basisfilmabscheidungslauf zur Überprüfung der Gleichmäßigkeit der Dicke.

Leitfaden zur Standortvorbereitung:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 L/min), Druckluft, Prozessgasleitungen (Ar, O2, N2 mit 99,999 % Reinheit) und elektrische Lastanforderungen (3-phasig 380 V/480 V).

Inbetriebnahme:Installation vor Ort, Vakuumkalibrierung und gemeinsame Testläufe-durchgeführt von Werks-Außendiensttechnikern.

Bedienerschulung:Strukturierte 5-tägige Vor-Ort-Schulung zu routinemäßiger Wartung, Vakuumsicherheitsprotokollen, Rezeptprogrammierung und grundlegender Fehlerbehebung.